RF0907004--AIGaN／GaN_HEMT功率放大器設計.pdf

在小信號 參數不適于微波功率放大器的設計而大信號 參數不易獲得的情況下，利用ADS軟
件，采用負載牽引法和輸入端共軛匹配， 成功的設計出A1GaN／GaN HEMT微波功率放大器。為了解決
晶體管端口出現負阻的問題，設計了輸入輸出端并聯電阻和反饋網絡兩種方法， 最后得到理想的結果為：
工作絕對穩定，帶寬3．6GHz～8．0GHz，最高增益1 1．04dB，最大輸出功率33dBm，最大PAE達到29．2％ ，
電壓駐波比較小。